SQM110N04-02L
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TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
160
120
V GS = 10 V thru 5 V
100
120
80
80
40
V GS = 4 V
60
40
20
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0
0
T C = - 55 °C
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
250
200
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
Output Characteristics
0.010
0.008
V GS - G ate-to- S ource Voltage (V)
Transfer Characteristics
150
T C = 25 °C
0.006
100
T C = - 55 °C
0.004
V GS = 4. 5 V
50
0
T C = 125 ° C
0.002
0
V GS = 10 V
0
16
32
48
64
80
0
20
40
60
80
100
120
10 000
I D - Drain Current (A)
Transconductance
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 110 A
8000
6000
4000
2000
0
C o ss
C r ss
C i ss
8
6
4
2
0
V D S = 20 V
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
Capacitance
Q g - Total G ate Charge (nC)
Gate Charge
S11-2028-Rev. C, 17-Oct-11
3
Document Number: 64731
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